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产品信息
IXFH60N50P3产品特性：
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
Low RDS(ON) and QG
Low Package Inductance
IXFH60N50P3产品优势：
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
IXFH60N50P3主要应用如下：
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
规格：
FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）500V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）60A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）5V @ 4mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）96nC @ 10VVgs（值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）6250pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）1040W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）100 毫欧 @ 30A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247AD（IXFH）封装/外壳TO-247-3
产品说明：
场效应晶体管 » MOSFET » IXFH60N50P3
关于IXFH60N50P3电子元器件，半导体等1片起售！向海外发送的订单，如日本时间中午12点之前确认付款，早可当天发货。
深圳仓库有现货库存12000只可以即时发货
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier